台湾微电子专家来我校做IEEE杰出讲师讲座等前沿报告

    2010年3月18日台湾交通大学庄绍勋教授、台湾工业技术研究院蔡铭进博士以及台湾大学Chee Wee Liu教授一行3人来我校访问并做了题为“Development on interface and reliability characterizations of CMOS devices with gate oxide down to 1 nm”、“New non-volatile memory development at ITRI”、“High mobility for technologies and physics”等3个前沿报告,大约40位师生参加了报告会。

     庄绍勋教授早年就读于美国UIUC,师从享誉世界的微电子专家萨支唐先生,近年来他在CMOS器件和工艺技术研究方面卓有建树,他担任了台湾两大半导体公司TSMC和UMC的咨询顾问和国际权威期刊IEEE Electron Device Letters的编辑,他是IEEE会士和IEEE EDS的杰出讲师。因此他在我校所作的前沿报告也是一个IEEE杰出讲师讲座,上海地区校内外IEEE EDS会员都收到了该讲座的邀请通知。在庄教授的报告中,他主要介绍了他们研究组近年来在CMOS超薄栅介质可靠性研究方面取得的成果。

     蔡铭进博士早年在美国MIT获得博士学位,1994年起他在台湾工研院从事半导体器件和工艺的研究工作,现任工研院电子与光电子研究室主任。蔡博士在报告中除对台湾工研院作了一个总体介绍外,对新一代非挥发存储器技术如磁存储器、相变存储器和阻变存储器等进行了系统介绍。

     台湾大学Chee Wee Liu教授在他的报告中则对应变硅、锗量子阱等高迁移沟道制备、特性表征等进行了深入浅出的介绍,Liu教授报告中诙谐幽默的语言使报告会气氛非常活跃。

     演讲后,师生们对相关内容与演讲者进行了热烈的讨论、并交流了各自的看法。报告会后3位专家参观了我校微纳电子工艺实验室,并与微电子专业部分教授探讨了未来合作研究等事宜。

 
 
 
 

 

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