讲座信息:III-V MOSFETs: Opportunities and Challenges


题  目:“III-V MOSFETs: Opportunities and Challenges”
报告人:叶培德 教授
时  间:2006年7月6日上午9:30
地  点:邯郸校区微电子学楼B213会议室

摘要
    由于缺少合适的栅介质,GaAs基MOS晶体管在过去40年里一直是一个梦想。众所周知,在III-V族化合物上生长栅介质一直面临巨大的挑战。尽管上个世纪八十年代人们开展了广泛而深入的研究,但由于化合物半导体上缺乏高质量的天然氧化层,每次试图制备器件级质量栅介质的努力都以失败而告终。但是,最近事情发生了变化。用原子层淀积(ALD)技术可以成功地在高迁移率的化合物半导体上生长高质量的栅介质,重新唤起了III-V族化合物半导体基MOSFET的希望。讲座介绍了III-V族化合物基MOSFET研究的最新进展和面临的技术挑战,以及Purdue大学在这方面的研究情况。

报告人简介
叶培德 (Peide,Peter Ye),男,1966年5月出生,现任美国Purdue University电气与计算机工程学院Associate Professor。 叶教授1988年毕业于复旦大学电子工程系,获学士学位。1992.10-1996.10在德国马普固体物理研究所(斯图加特),攻读获博士学位,师从K. von Klitzing教授(1985年诺贝尔物理奖获得者);1996-1998任职于日本NTT研究所;1998-2001在美国Princeton University电气工程系做博士后,合作者是Daniel.C. Tsui教授(1998年诺贝尔物理奖获得者);2001-2004任职于美国Bell Labs / Agere Systems;2005起任职于美国Purdue University;叶教授的研究方向主要有半导体物理、半导体材料、以及半导体器件和工艺等;
叶教授是美国科学进步学会(AAAS)、物理学会(APS)、材料研究学会(MRS)会员,IEEE学会高级会员。叶教授至今已在国际著名期刊发表论文33篇,其中包括Physical Review Letters论文6篇,Applied Physics Letters论文8篇,并参与两本英文著作的编写。

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