讲座信息:先进铜互连技术

报告人:张卫 教授
时  间:2006年2月21日 9:55
地  点:复旦大学张江校区第二教学楼2101室

主要内容:
1.双嵌入式铜互连技术的基本工艺,包括低介电常数介质的制备和性能,电化学镀铜工艺,化学机械抛光技术等;
2.铜互连技术的最新发展趋势和新工艺;
3.集成了多孔超低介电常数介质的45nm先进铜互连工艺;

张卫,男,1968年生,1995年西安交通大学博士毕业。现为微电子学与固体电子学教授,博士生导师。1995年-1997年在复旦从事博士后研究工作。在超大规模集成电路用低介电常数介质薄膜如含F氧化硅,含F碳膜等的制备与性能等研究方面取得突出成果。出版专著1本,发表论文近百篇。2001年-2002年获得洪堡基金资助,在德国进行合作研究。现任复旦-诺发互连中心主任。获“上海市高校优秀青年教师”称号。

*选修《专题报告》课程的本科生请勿缺席。

 
 

 

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