学术报告

 

时 间2004年7月26日(星期一),下午3:20—4:10。

地 点:微电子楼B213室。

报告人:马佐平 博士

题 目:Opportunities and Challenges of High-k Gate Dielectrics Research for Future CMOS Technology

报告人简介:

    马佐平博士是耶鲁大学电子工程Raymond John Wean教授、电子工程系系主任、耶鲁微电子中心联合主任、应用物理教授。2003年2月,马教授当选为美国工程院院士。

    马教授任数个耶鲁大学的委员会委员,包括研究生院执行委员会,耶鲁学院执行委员会,教学委员会(1996年担任主席),高级教员任命委员会,初级教员任命委员会,少数民族顾问委员会,物理科学和工程顾问委员会,工程教师发展委员会,Bouchet奖委员会,耶鲁学院副院长调查委员会(主席),NEASC认证执行委员会。

    马教授1974年在耶鲁大学获得博士学位,1977年加入耶鲁的教员行列,其间在IBM进行科研工作。他的教学科研工作主要是在微电子、半导体、MOS界面物理等领路,发表过180多篇论文。

    马教授是工程院院士,IEEE成员,康涅狄格科学工程院院士,美国物理协会终身院士,电子化学协会院士,材料研究协会院士,耶鲁科学工程协会会员。

    马教授是中国科学院荣誉教授、清华大学、天津大学、山东大学的荣誉客座教授。

 
 

 

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