徐鸿涛

 

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电话:      86-21-51355075

 

无线芯片与系统实验室
Wireless Integrated Circuit and System Lab

MS/PhD/Postdoc positions open!

  • 现招收品学兼优、勇于创新的硕士生、博士生以及博士后。
  • 欢迎有志于从事射频/模拟/数字IC设计、无线系统及智能算法研究的同学加入。
  • 实验室为学生提供与工业界接轨的设计理念,开放包容的科研环境和帮助优秀学生提供工业界实习机会。

课题组研究方向:

  • 先进CMOS工艺上的高性能收发机及其模块IC
  • 应用于智能传感器和5G通讯的毫米波集成电路与系统
  • 应用于物联网和可穿戴智能系统的超低功耗无线集成电路

教育背景

  • 2000-2005美国加州大学圣芭芭拉分校,电气与计算机工程,博士
  • 2001-2003美国加州大学圣芭芭拉分校,经济学,硕士
  • 1993-1997上海复旦大学,电子工程,学士

工作经历
   2015 –至今     复旦大学微电子学院
        教授级研究员,博士生导师
   2005 – 2015    英特尔公司 (Intel Corp)
        英特尔研究院 (Intel Labs)主管研究科学家

研究经历

  • 超低功耗SoC系统开发项目
    • 带领团队开发了业界首枚14纳米CMOS无线低功耗WiFi SoC芯片,应用于搭建无线传感网、物联网和可穿戴设备。
  • 先进CMOS工艺下高性能无线收发机的设计
    • 超过15年包括收发机前端的无线射频元件,无线系统开发及射频电路数字化创新。经历从90纳米到14纳米的无线系统开发,开发出用于低功耗和低成本无线系统的颠覆性的无线收发机的架构,并应用于英特尔无线通讯产品中。
  • 高性能CMOS数字射频功率放大器(PA)
    • 领导并研发了多款高性能CMOS功率放大器。其中首创的outphasing和dynamic power control数字式功率放大器,成果证明了用数字方法实现射频的射频功率放大器,性能可以超越传统的设计方式。基于32纳米CMOS工艺研发的两款功率放大器,性能超越其他已同时期发布的设计,成为32纳米 CMOS功率放大器性能标杆。
  • 全集成基于高性能GaN HEMT的微波电路(MMIC)
    • 净化间微波器件工艺开发经验。独立完成从微波器件制造到电路设计测试流程。
    • 开发出基于GaN HEMT的微波集成电路加工工艺,并对此工艺的有源器件和被动器件建立模型,设计开发包括PA,VCO和LNA在内的高性能微波电路。
    • 首创了可集成在化合物半导体上的可调制铁电材料器件制造工艺,极大减小微波元件的尺寸,并设计高性能自适应的微波电路。

主要成果及荣誉
  IEEE 高级会员
  中央青年千人计划
  13项美国专利
  已发表在包含行业顶级期刊ISSCC和JSSC在内的30余篇论文:
    射频集成电路:3 ISSCC; 3 JSSC; 2 VLSI-C; 2 ESSCIRC; 1 RFID
    微波集成电路:1 TMTT; 3 IMS; 2 CSICS; 4 MWCL;
    微波器件:2 EDL; 1 VLSI-T; 1 DRC
  2篇英文著作:

担任国际学术会议重要职务
  IEEE 射频集成电路国际会议技术评审委员 (RFIC) 2015~2017
    先进射频接收机架构分会主席
    射频前端分会主席
  IEEE国际无线会议技术评审委员 (IWS) 2013-2016
    高级无线收发机架构分会主席
    低功耗低噪声超宽带无线收发机分会主席
  2014 IEEE 射频集成电路国际会议功率放大器研讨会主席

近期论文/报告选摘

  1. P. Madoglio, Hongtao Xu, K. Chandrashekar et al., “A 2.4GHz WLAN Digital Polar Transmitter with Synthesized Digital-to-Time Converter in 14nm Trigate/FinFET Technology for IoT and Wearable Applications”, 2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), 2017, 226- 227
  2. Yu-Ting Chang, Yu Ye, Hongtao Xu et al., “An Ultra-Wideband CMOS PA with Dummy Filling for Reliability”, Solid-State Electronics, 2017, 129(3), 125-133
  3. Hongtao Xu, “Power Efficient PA matching design on Advanced CMOS Technology”, invited in forum “Advanced Power Amplifier Techniques for Mobile Devices”, 2015 IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC), 2015
  4. Hongtao Xu, “Linearity and Efficiency Enhancement in Power Amplifiers for Software Defined Radios”, invited in forum “Power Amplifiers for Software Defined Radios”, 2014 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), 2014
  5. A. Ravi, P. Madoglio, Hongtao Xu et al., “A 2.4-GHz 20–40-MHz Channel WLAN Digital Outphasing Transmitter Utilizing a Delay-Based Wideband Phase Modulator in 32-nm CMOS”, IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC), 2012, 47(12), 3184- 3196
  6. Wei Tai, Hongtao Xu, Ravi, A. et al., “A Transformer-Combined 31.5 dBm Outphasing Power Amplifier in 45 nm LP CMOS With Dynamic Power Control for Back-Off Power Efficiency Enhancement”, IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC), 2012, 47(7), 1646- 1658
  7. P. Madoglio, A. Ravi, Hongtao Xu et al., “A 20dBm 2.4GHz digital outphasing transmitter for WLAN application in 32nm CMOS”, 2012 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), 2012, 168- 170
  8. Wei Tai, Hongtao Xu, A. Ravi et al., “A 31.5dBm Outphasing Class-D Power Amplifier in 45nm CMOS with Back-Off Efficiency Enhancement by Dynamic Power Control”. 2011 European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC), 2011, 131- 134
  9. Hongtao Xu, Y. Palaskas, A. Ravi et al., “A Flip-Chip-Packaged 25.3 dBm Class-D Outphasing Power Amplifier in 32 nm CMOS for WLAN Application”, IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC), 46(7), 2011, 1596 – 1605
  10. Yulin Tan, Hongtao Xu, M.A. El-tanani et al., “A flip-chip-packaged 1.8V 28dBm class-AB power amplifier with shielded concentric transformers in 32nm SoC CMOS”, 2011 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), 2011, 426 – 428
  11. Hongtao Xu, Y. Palaskas, A. Ravi et al., "A highly linear 25dBm outphasing power amplifier in 32nm CMOS for WLAN application”, 2010 European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC), 2010, 306 – 309
  12. Hongtao Xu, Y. Palaskas, A. Ravi et al., "A 28.1dBm class-D outphasing power amplifier in 45nm LP digital CMOS", 2009 Symposium on VLSI Circuits (VLSI-C), 2009, 206 - 207
 
 
 
 

 

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