王鹏飞

复旦大学微电子学院教授
专用集成电路与系统国家重点实验室副主任
电 话:021-65648009
E-mail:pfw@fudan.edu.cn

 

 

主要经历:
1994年-2001年:复旦大学,获得和硕士学位;
2001年-2003年:慕尼黑工业大学,获得博士学位;
2004年-2007年:德国英飞凌科技存储器部门任职;
2009年-至今: 复旦大学微电子学院教授。

研究方向:
1. 微电子器件设计与制造:互补隧穿场效应晶体管(CTFET)和U形沟道隧穿场效应晶体管(U-shape TFET);
2. 新型存储器器件比如半浮栅存储器、双金属浮栅器件;
3. 新型功率器件包括超级结、GaN、SFG-MOS、IGBT。

荣誉和奖励:
1. 上海市千人计划;
2. 科技部中青年科技创新领军人才;
3. 上海市特聘教授。

研究成果:
1. 授权发明专利50余项,其中美国专利授权20余项;
2. 发明了包括C-TFET、SFGT、U-FinFET、SFG-MOS等器件,多项技术已经被量产采用或者实现技术转让;
3. 2003年最早系统地命名和定义了TFET、CTFET、NTFET、PTFET等一系列器件,被学术界广泛沿用;
4. 2008年发明了“Semi-Floating Gate Transistor” (即SFGT,半浮栅晶体管)这种基础元器件及多种半浮栅衍生器件,并最先成功制造且发表于Science、IEEE EDL及IEEE TED上。
5. 发明的多种器件结构与制造工艺已在国内实现量产并出口,多项专利技术实现技术授权和转让。

代表性论文:
1. P.-F. Wang*, X. Lin, L. Liu, X.-Y. Liu, Q.-Q. Sun, P. Zhou, W. Liu, Y. Gong, D. W. Zhang, A Semi-Floating Gate Transistor for Low-Voltage Ultrafast Memory and Sensing Operation, Science. 341, 2013, pp. 640-643.
2. P.-F. Wang*, K. Hilsenbeck, Th. Nirschl, M. Oswald, Ch. Stepper, M. Weis, D. Schmitt-Landsiedel, and W. Hansch, Complementary Tunneling Transistor for Low Power Application, Solid-State Electronics, 48 (2004) pp. 2281-2286.
3. Low-Temperature Ohmic Contact Formation in GaN High Electron Mobility Transistors Using Microwave Annealing, Lin-Qing Zhang, Jin-Shan Shi, Hong-Fan Huang, Xiao-Yong Liu, Sheng-Xun Zhao,Peng-Fei Wang, and David Wei Zhang, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 36, NO. 9, SEPTEMBER 2015, 896-898
4. Investigation of Temperature Dependence, Device Scalability, and Modeling of Semifloating-Gate Transistor Memory Cell, Lin, Xi; Liu, Xiao-Yong; Zhang, Chun-Min; Liu, Lei; Shi, Jin-Shan; Zhang, Shuai; Wang, Wen-Bo; Bu, Wei-Hai; Wu, Jun; Gong, Yi, Wang, Peng-Fei*; Wu, Han-Ming; Zhang, David-Wei, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 62 (4), 1177-1183,
5. W. Wang, P.-F. Wang*, et al., Design of U-Shape Channel Tunnel FETs With SiGe Source Regions. IEEE Transaction on Electron Devices. VOL. 61 (1), 2014, pp. 193-197.

 
 
 
 

 

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