江安全

复旦大学微电子学院研究员
电话:55664098
E-mail: aqjiang@fudan.edu.cn

 

 

主要经历:
1988年8月-1992年6月:理学学士,兰州大学材料科学系
1994年8月-1999年6月:理学博士,中国科学院固体物理研究所
1999年6月2006年2月:博士后,中科院物理所和剑桥大学
2006年9月-至今:研究员, 复旦大学

研究方向:
1、基于CMOS工艺后端的不挥发薄膜存储器:铁电薄膜存储器(FeRAM),变阻存储器(RRAM),相变存储器(PCRAM),非挥发闪存(FLASH)等;
2、新型纳米半导体器件的工艺和物理;
3、高介电常数的铁电材料研制及其在微波器件上的应用;
4、铁电液晶和压电、热释电材料等。

荣誉和奖励:
1. 2009/1-2015/12,上海市高校特聘教授(东方学者);
2. 2013/1-2016/12,国家杰出青年科学基金;
3. 2015-2016,IEDM存储器分会委员和《Scientific Reports》编委。

代表性论文:
1. An Quan Jiang, Xiang Jian Meng, David Wei Zhang, Min Hyuk Park, Sijung Yoo, Yu Jin Kim, James F. Scott* & Cheol Seong Hwang*, “Giant Dielectric Permittivity in Ferroelectric Thin Films: Domain Wall Ping Pong”, Scientific Reports 5, 14618 (2015).
2. A. Q. Jiang, H. J. Lee, G. H. Kim, and C.S. Hwang, "The inlaid Al2O3 tunnel switch for ultra-thin ferroelectric films", Adv. Mater. 21, 2870-2875 (2009).
3. A.Q. Jiang, H.J. Lee, C.S. Hwang, and J.F. Scott, “Sub-picosecond processes of ferroelectric domain switching from field and temperature experiments”, Adv. Funct. Mater. 22, 192–199 (2012).
4. An Quan Jiang, Mr. Zhi Hui Chen, Mr. Wen Yuan Hui, Prof. Dong Ping Wu, Prof. James F. Scott 'Subpicosecond Domain Switching in Discrete Regions of Pb(Zr0.35Ti0.65)O3 Thick Films ' Adv. Funct. Mater., 22, 2148–2153 (2012).
5. A.Q. Jiang, C. Wang , K.J. Jin , X.B. Liu , J. F. Scott , C.S. Hwang , T. A. Tang , H. B. Lu , and G. Z. Yang, “A Resistive Memory in Semiconducting BiFeO3 Thin-Film Capacitors”, Adv. Mater. 23, 1277–1281 (2011).

 

 
 
 
 

 

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